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這種腐蝕是沿著晶界或者在其近旁發(fā)生，所以稱之為晶間腐蝕。關(guān)于晶間腐蝕的成因，普遍認(rèn)為是由晶界與相鄰晶粒之間的電位差造成的。以AI-Cu-Mg合金為例，在時效脫溶之后，晶界有一條無沉淀帶，含Cu較少，電位較負(fù)，構(gòu)成陽極相。晶粒內(nèi)含Cu較高，電位較正，構(gòu)成了陰極相。在腐蝕過程中，電位較負(fù)的貧Cu區(qū)將被優(yōu)先腐蝕，并隨著鋁的溶解，晶粒中孤立的Cu也隨之進人溶液，尤其是陰極相中鋁的溶解使Cu直接進人溶液，生成Cu2十。由于Cu2+的氧化還原電位很正(相對于鋁的電位)，所以會在鋁表面的陰極區(qū)還原析出，這種析出過程稱之為二次沉淀。
