這種腐蝕是沿著晶界或者在其近旁發(fā)生,所以稱之為晶間腐蝕。關于晶間腐蝕的成因,普遍認為是由晶界與相鄰晶粒之間的電位差造成的。以AI-Cu-Mg合金為例,在時效脫溶之后,晶界有一條無沉淀帶,含Cu較少,電位較負,構成陽極相。晶粒內含Cu較高,電位較正,構成了陰極相。在腐蝕過程中,電位較負的貧Cu區(qū)將被優(yōu)先腐蝕,并隨著鋁的溶解,晶粒中孤立的Cu也隨之進人溶液,尤其是陰極相中鋁的溶解使Cu直接進人溶液,生成Cu2十。由于Cu2+的氧化還原電位很正(相對于鋁的電位),所以會在鋁表面的陰極區(qū)還原析出,這種析出過程稱之為二次沉淀。