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蝕刻技術屬于感光化學技術領域, 是用光刻腐蝕加工薄形準確金屬制品的一種方法。其基本原理是利用化學感光材料的光敏特性, 在基體金屬基 片兩面均勻涂敷感光材料采用光刻方法, 將膠膜板上柵網產顯形狀準確地復制到金屬基片兩面的感光層掩膜上通過顯影去除未感光部分的掩膜, 將裸露的金屬部分在后續(xù)的加工中與腐蝕液直接噴壓接觸而被蝕除,后面獲取所需的幾何形狀及高精度尺寸的產品技術蝕刻技術
蝕刻一共有兩大類：
1：干式蝕刻;
2:濕式蝕刻。
較早的蝕刻技術是利用特定的溶液與薄膜間所進行的化學反應來去除薄膜未被光阻覆蓋的部分，而達到蝕刻的目的，這種蝕刻方式也就是所謂的濕式蝕刻。因為濕式蝕刻是利用化學反應來進行薄膜的去除，而化學反應本身不具方向性，因此濕式蝕刻過程為等向性，一般而言此方式不足以定義3微米以下的線寬，但對于3微米以上的線寬定義濕式蝕刻仍然為一可選擇采用的技術。
濕式蝕刻的優(yōu)點：低成本、高可靠性、高產能及優(yōu)越的蝕刻選擇比。但相對于干式蝕刻，除了無法定義較細的線寬外，濕式蝕刻仍有以下的缺點：
1) 需花費較高成本的反應溶液及去離子水；
2) 化學藥品處理時人員所遭遇的安全問題；
3) 光阻附著性問題；
4) 氣泡形成及化學蝕刻液無法完全與晶圓表面接觸所造成的不完全及不均勻的蝕刻；
5) 廢氣及潛在的爆炸性。