茶山蝕刻加工 (1)蝕刻液中cl-濃度對(duì)蝕刻速度的影響：在酸性CuCl2蝕刻液中，cu2和cu+都是以絡(luò)離子狀態(tài)存在于蝕刻液中。銅由于具有不完傘的d-軌道電子殼，所以它足一個(gè)很好的絡(luò)合物形成體。一般情況下，可形成四個(gè)配位鍵。當(dāng)蝕刻液中含有大量的cl-時(shí)，cu2+是以四氯絡(luò)銅([CuCl4]2)的形式存在．cu2足以三氯絡(luò)銅([cucl3]2)的形式存牲。兇此蝕刻液的配制和再生都需要大量的cl參與反麻。同時(shí)cl濃度對(duì)蝕刻速度同樣有直接關(guān)系，c1濃度高有利于各種銅絡(luò)離子的形成，加速了蝕刻過程。

cl-濃度對(duì)蝕刻速度的影響如圖5-14所示。從圖5-14中可出，當(dāng)鹽酸濃度升高時(shí)，蝕刻時(shí)間減少。在含有6mol鹽酸的蝕刻液中蝕刻速度是在水溶液巾的三倍，并且還能提高溶銅量。但是鹽酸濃度不可超過6mol。高于6mol的鹽酸濃度隨酸度增加。由于同離子效應(yīng)，使CuCI2溶解度迅速降低，同時(shí)高酸度的蝕刻液也會(huì)造成對(duì)設(shè)備腐蝕性增大。

添加CL可以提高蝕刻速度的原因足：在cucL2溶液中發(fā)牛銅的蝕刻反應(yīng)時(shí)，生成的cu2c12不易溶于水．則在銅的表面形成一層cucl膜，這種膜能阻止蝕刻過程的進(jìn)一步進(jìn)行。這時(shí)過量的cl能與cu2cL2絡(luò)臺(tái)形成可溶性的[cucl3]2-從銅的表而溶解下求，從而提高了蝕刻速度。

(2)cu+含量對(duì)蝕刻速度的影響：隨著蝕刻過程的進(jìn)行，溶液中Cu+濃度會(huì)逐漸增大。少量的Cu+就能明顯減慢蝕刻速度。如在每升120g cu2+蝕刻液中有4gcu+就會(huì)顯著降低蝕刻速度。所以在蝕刻過程中要保持cu+的含量在一個(gè)較低的濃度范圍內(nèi)。并要盡呵能快地使cu。氧化成cu，也正兇為這樣，才使得酸性cucl：的蝕刻液的普遍使用受到一定跟制。

在生產(chǎn)實(shí)踐中控制cu‘裱度，如采作邋常使用的化學(xué)分析法，顯然對(duì)于蝕刻液中cu’低濃度的嚴(yán)格控制是難于做到的，但通進(jìn)電位拄制法就很容易解決。根據(jù)條思特方程式

E=E．+(O 059／n)1就cu‘】／[cu’】

式中：￡為指定濃度下的電極電位；E。為標(biāo)準(zhǔn)電極電位；n為得失電子數(shù)；[cu‘’】為二價(jià)銅離子濃度；[cu‘]為亞銅離子濃度。

從以卜方程可以看出，氧化一還原電位E與[cu]／[cu’]的比值有J)∈。圖5—15表明溶液中cu’濃度與氧化一還原電位之問的相互關(guān)系。

從圖5一15中可以看出，隨著溶液中cu‘濃度的不斷升高，氧化一還原電位不斷下

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