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石排蝕刻鋁
干式蝕刻（又稱為電漿蝕刻）是目前最常用的蝕刻方式，其以氣體作為主要的蝕刻媒介，并藉由電漿能量來驅(qū)動(dòng)反應(yīng)。電漿對(duì)蝕刻制程有物理性與化學(xué)性兩方面的影響。1>電漿會(huì)將蝕刻氣體分子分解，產(chǎn)生能夠快速蝕去材料的高
干式蝕刻（又稱為電漿蝕刻）是目前最常用的蝕刻方式，其以氣體作為主要的蝕刻媒介，并藉由電漿能量來驅(qū)動(dòng)反應(yīng)。
電漿對(duì)蝕刻制程有物理性與化學(xué)性兩方面的影響。
1>電漿會(huì)將蝕刻氣體分子分解，產(chǎn)生能夠快速蝕去材料的高活性分子。
2>電漿也會(huì)把這些化學(xué)成份離子化，使其帶有電荷。
在半導(dǎo)體的制程中，蝕刻被用來將某種材質(zhì)自晶圓表面上移除
晶圓系置于帶負(fù)電的 陰極之上，因此當(dāng)帶正電荷的離子被陰極吸引并加速向陰極方向前進(jìn)時(shí)，會(huì)以垂直角度撞擊到晶圓表面。芯片制造商即是運(yùn)用此特性來獲得絕佳的垂直蝕刻，而后者 也是干式蝕刻的重要角色。
1. 電漿內(nèi)部所產(chǎn)生的活性反應(yīng)離子與自由基在撞擊晶圓表面后，將與某特定成份之表面材質(zhì)起化學(xué)反應(yīng)而使之氣化。如此即可將表面材質(zhì)移出晶圓表面，并透過抽氣動(dòng) 作將其排出。
2. 電漿離子可因加速而具有足夠的動(dòng)能來扯斷薄膜的化學(xué)鍵，進(jìn)而將晶圓表面材質(zhì)分子一個(gè)個(gè)的打擊或?yàn)R擊（sputtering）出來。
基本上，隨著所欲去除的材質(zhì)與所使用的蝕刻化學(xué)物質(zhì)之不同，蝕刻由下列兩種模式單獨(dú)或混會(huì)進(jìn)行