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根據(jù)不同的材料和不同的刻蝕要求，可以選擇酸性或堿性刻蝕溶液進(jìn)行化學(xué)刻蝕。在刻蝕過程中，無論是深刻蝕還是淺刻蝕，刻蝕切口基本相同，橫向刻蝕和圓弧的橫截面形狀可測量。那么如何才能做到高精度的金屬蝕刻呢？
溢格發(fā)現(xiàn)僅當(dāng)蝕刻工藝?yán)^續(xù)遠(yuǎn)離切入點(diǎn)時，才會形成在工業(yè)上成為“直邊”的矩形截面。為了實(shí)現(xiàn)該步驟，需要在材料被切穿之后蝕刻一段時間，以便可以完全切去突出部分。由此可見，通過化學(xué)方法的精確切割只能應(yīng)用于厚度非常薄的金屬材料。
化學(xué)刻蝕使橫截面形成直邊的能力主要取決于刻蝕中使用的設(shè)備。此類設(shè)備中常用的加工方法均具有恒定壓力的噴涂裝置，蝕刻的噴涂力將確保所暴露的材料迅速溶解，并且這種溶解還包括圓形中心的突出部分。前面提到過。
在此，適用于被腐蝕金屬的強(qiáng)腐蝕劑也非常關(guān)鍵。蝕刻劑的強(qiáng)度，噴射壓力機(jī)的密度，蝕刻溫度，設(shè)備的傳送速度（或蝕刻時間）等。這五個要素在金屬蝕刻中藥非常匹配，這樣才可以在短時間內(nèi)將中央突出部切掉成為大致筆直的一側(cè)，從而可以實(shí)現(xiàn)更高的蝕刻精度。
在照相防腐蝕技術(shù)的化學(xué)蝕刻過程中，比較精確的一種用于處理集成電路的各種薄層J硅晶片，并且凹口的幾何形狀尺寸也非常小。為了確保在蝕刻過程中半導(dǎo)體元件不受任何影響，所使用的各種化學(xué)藥品，例如各種清潔劑和各種腐蝕劑，是非常高純度的化學(xué)試劑。
蝕刻劑的選擇根據(jù)不同的處理材料來確定，例如，氫氟酸和HNO 3用于硅晶片，氫氟酸和NH 4 F用于氧化硅晶片。當(dāng)通過化學(xué)蝕刻處理IC時，蝕刻切口的幾何形狀與航空航天業(yè)中的化學(xué)蝕刻切口的幾何形狀沒有什么不同。然而，它們之間的蝕刻深度存在幾個數(shù)量級的差異，并且前者的蝕刻深度小于1μm，可以達(dá)到幾毫米甚至更深。
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