長(zhǎng)安蝕刻鋁 曝光是在紫外光照射下，光引發(fā)劑吸收光能分解成游離基，游離基再}i發(fā)不聚合單體進(jìn)行聚合交聯(lián)反應(yīng)，反應(yīng)后形成不溶于稀堿溶液的體型大分子結(jié)構(gòu)。曝光一般在自動(dòng)雙面曝光機(jī)內(nèi)進(jìn)行，現(xiàn)在的曝光機(jī)根據(jù)光源的冷卻方式不同分風(fēng)冷和水冷兩種。

曝光成像質(zhì)量除干膜光敏抗蝕劑的性能外，光源的選擇，曝光時(shí)間(曝光最)的控制，照相底版的質(zhì)量等都是影響曝光成像質(zhì)量的重要斟素。

(1)光源的選擇：任何一種干膜都有其自身特有的光譜吸收曲線，而任何一種光源也都有其自身的發(fā)射光潛曲線。如果某種光源的光譜發(fā)射主峰和某種十膜的光譜吸收主峰相重疊或大部分重疊，說(shuō)明兩者匹配良好，曝光效果就好。

國(guó)產(chǎn)干膜的光譜吸收曲線表明，光譜吸收區(qū)為310nm～440nm，從幾種光源的光譜能量分布可看出：鏑燈、高壓汞燈、碘鎵燈在310nm～440nm波長(zhǎng)范圍均有較大的相對(duì)輻射強(qiáng)度，是干膜曝光的理想光源。而氙燈不適應(yīng)于干膜的曝光。光源選定以后，還應(yīng)考慮選用功率大的光源，因?yàn)楣庠磸?qiáng)度大，分辨率高，而且曝光時(shí)問(wèn)短，照相底版受熱變形的程度也小。

(2)曝光時(shí)間控制(曝光量的控制)：在曝光過(guò)程中干膜的聚合反應(yīng)并不是在瞬問(wèn)完成，而是經(jīng)過(guò)以下過(guò)程完成。

干膜中由于存在氧或其他有害雜質(zhì)的阻礙，在曝光過(guò)程中需要經(jīng)過(guò)一個(gè)誘導(dǎo)的過(guò)程．在該過(guò)程內(nèi)引發(fā)劑分解產(chǎn)生的游離基被氧和雜質(zhì)所消耗，單體的聚合甚微。當(dāng)誘導(dǎo)期一過(guò)，單體的光聚合反應(yīng)很快進(jìn)行，膠膜的黏度迅速增加，接近于突變的程度，這就是光敏單體急驟消耗階段，這個(gè)階段在曝光過(guò)程中所占的時(shí)問(wèn)比例很小。當(dāng)光敏單體大部分消耗完時(shí)，就進(jìn)人了單元體耗盡區(qū)，此時(shí)光聚合反應(yīng)已經(jīng)完成。

正確控制曝光時(shí)間是獲得優(yōu)良干膜抗蝕圖像非常重要的因素。當(dāng)曝光不足時(shí)，I=h于單體聚合不徹底，在顯影過(guò)程中，膠膜溶漲變軟，線條不清晰，色澤暗淡，甚至脫膠，存蝕刻過(guò)程中或電鍍過(guò)程中，膜起翹，滲鍍，甚至脫落。

當(dāng)曝光過(guò)度時(shí)，會(huì)造成難于顯影，膠膜發(fā)脆，留下殘膠等弊病。更為嚴(yán)甫的是不正確的曝光將產(chǎn)生圖像線寬的偏差，過(guò)量的曝光會(huì)使圖形電鍍的線條變細(xì)，使印制電路板蝕刻的線條變粗。反之，曝光不足使罔形電鍍的線條變粗，使印制電路板蝕刻的線條變細(xì)。要得到正確的曝光量，就需要確定一個(gè)最佳的曝光時(shí)問(wèn)。

曝光時(shí)間的確定，在條件允許的情況下可采用瑞斯頓17級(jí)或斯罔費(fèi)21級(jí)光密度尺來(lái)進(jìn)行計(jì)算。在無(wú)光密度尺時(shí)，也可憑經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行觀察，用逐漸增加曝光時(shí)；的方法，根據(jù)顯影后干膜的光亮程度，圖像是否清晰，圖像線寬是否與原底片相符等來(lái)確定適當(dāng)?shù)钠毓鈺r(shí)間。

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