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長安蝕刻鋁 曝光是在紫外光照射下，光引發(fā)劑吸收光能分解成游離基，游離基再}i發(fā)不聚合單體進行聚合交聯(lián)反應，反應后形成不溶于稀堿溶液的體型大分子結構。曝光一般在自動雙面曝光機內(nèi)進行，現(xiàn)在的曝光機根據(jù)光源的冷卻方式不同分風冷和水冷兩種。
曝光成像質(zhì)量除干膜光敏抗蝕劑的性能外，光源的選擇，曝光時間(曝光最)的控制，照相底版的質(zhì)量等都是影響曝光成像質(zhì)量的重要斟素。
(1)光源的選擇：任何一種干膜都有其自身特有的光譜吸收曲線，而任何一種光源也都有其自身的發(fā)射光潛曲線。如果某種光源的光譜發(fā)射主峰和某種十膜的光譜吸收主峰相重疊或大部分重疊，說明兩者匹配良好，曝光效果就好。
國產(chǎn)干膜的光譜吸收曲線表明，光譜吸收區(qū)為310nm～440nm，從幾種光源的光譜能量分布可看出：鏑燈、高壓汞燈、碘鎵燈在310nm～440nm波長范圍均有較大的相對輻射強度，是干膜曝光的理想光源。而氙燈不適應于干膜的曝光。光源選定以后，還應考慮選用功率大的光源，因為光源強度大，分辨率高，而且曝光時問短，照相底版受熱變形的程度也小。
(2)曝光時間控制(曝光量的控制)：在曝光過程中干膜的聚合反應并不是在瞬問完成，而是經(jīng)過以下過程完成。
干膜中由于存在氧或其他有害雜質(zhì)的阻礙，在曝光過程中需要經(jīng)過一個誘導的過程．在該過程內(nèi)引發(fā)劑分解產(chǎn)生的游離基被氧和雜質(zhì)所消耗，單體的聚合甚微。當誘導期一過，單體的光聚合反應很快進行，膠膜的黏度迅速增加，接近于突變的程度，這就是光敏單體急驟消耗階段，這個階段在曝光過程中所占的時問比例很小。當光敏單體大部分消耗完時，就進人了單元體耗盡區(qū)，此時光聚合反應已經(jīng)完成。
正確控制曝光時間是獲得優(yōu)良干膜抗蝕圖像非常重要的因素。當曝光不足時，I=h于單體聚合不徹底，在顯影過程中，膠膜溶漲變軟，線條不清晰，色澤暗淡，甚至脫膠，存蝕刻過程中或電鍍過程中，膜起翹，滲鍍，甚至脫落。
當曝光過度時，會造成難于顯影，膠膜發(fā)脆，留下殘膠等弊病。更為嚴甫的是不正確的曝光將產(chǎn)生圖像線寬的偏差，過量的曝光會使圖形電鍍的線條變細，使印制電路板蝕刻的線條變粗。反之，曝光不足使罔形電鍍的線條變粗，使印制電路板蝕刻的線條變細。要得到正確的曝光量，就需要確定一個最佳的曝光時問。
曝光時間的確定，在條件允許的情況下可采用瑞斯頓17級或斯罔費21級光密度尺來進行計算。在無光密度尺時，也可憑經(jīng)驗進行觀察，用逐漸增加曝光時；的方法，根據(jù)顯影后干膜的光亮程度，圖像是否清晰，圖像線寬是否與原底片相符等來確定適當?shù)钠毓鈺r間。