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高埗蝕刻加工什么是CMP
CMP 是哪三個(gè)英文單詞的縮寫？
Chemical Mechanical Polishing (化學(xué)機(jī)械研磨)
CMP是哪家公司發(fā)明的？
CMP是IBM在八十年代發(fā)明的。
簡(jiǎn)述CMP的工作原理？
化學(xué)機(jī)械研磨是把芯片放在旋轉(zhuǎn)的研磨墊(pad)上，再加一定的壓力， 用化學(xué)研磨液(slurry)來研磨的。
為什幺要實(shí)現(xiàn)芯片的平坦化？
當(dāng)今電子元器件的集成度越來越高，例如奔騰IV就集成了四千多萬個(gè)晶體管，要使這些晶體管能夠正常工作，就需要對(duì)每一個(gè)晶體管加一定的電壓或電流，這就需要引線來將如此多的晶體管連接起來，但是將這幺多的晶體管連接起來，平面布線是不可能的，只能夠立體布線或者多層布線。在制造這些連線的過程中，層與層之間會(huì)變得不平以至不能多層迭加。用CMP來實(shí)現(xiàn)平坦化，使多層布線成為了可能。
CMP在什幺線寬下使用？
CMP在0.25微米以下的制程要用到。
什幺是研磨速率（removal rate）?
研磨速率是指單位時(shí)間內(nèi)研磨膜厚度的變化。
研磨液(slurry)的組成是什幺？
研磨液是由研磨顆粒(abrasive particles)，以及能對(duì)被研磨膜起化學(xué)反應(yīng)的化學(xué)溶液組成。
為什幺研磨墊(Pad)上有一些溝槽(groove)？
研磨墊上的溝槽是用來使研磨液在研磨墊上達(dá)到均勻分布，使得研磨后芯片上的膜厚達(dá)到均勻。
為什幺要對(duì)研磨墊進(jìn)行功能恢復(fù)(conditioning)?
研磨墊在研磨一段時(shí)間后，就有一些研磨顆粒和研磨下來的膜的殘留物留在研磨墊上和溝道內(nèi),這些都會(huì)影響研磨液在研磨墊的分布,從而影響研磨的均勻性。
什幺是blanket wafer ？什幺是pattern wafer ？
blanket wafer 是指無圖形的芯片。pattern wafer 是指有圖形的芯片。
Blanket wafer 與pattern wafer的removal rate會(huì)一樣嗎？
一般來說，blanket wafer 與pattern wafer的removal rate是不一樣的。
為什幺Blanket wafer 與pattern wafer的removal rate會(huì)不一樣？
Blanket wafer 與pattern wafer的removal rate不一樣是由于pattern wafer上有的地方高，有的地方低，高的地方壓強(qiáng)(pressure)大，研磨速度大（回想Preston關(guān)系式）。而且， 總的接觸到研磨的面積要比Blanket wafer接觸到研磨的面積要小，所以總的壓強(qiáng)大，研磨速度大。
在研磨后，為什幺要對(duì)芯片進(jìn)行清洗？
芯片在研磨后，會(huì)有大量的研磨顆粒和其它一些殘留物留在芯片上，這些是對(duì)后面的工序有害，必須要清洗掉。
CMP (process tool) 分為幾類？
對(duì)不同膜的研磨，CMP分為Oxide, W, Poly, Cu CMP等。
CMP常見的缺陷（defect）是什幺？
CMP常見的缺陷有劃傷(scratch), 殘留物(residue), 腐蝕（corrosion）.
W Remove Rate 用什幺方法來測(cè)？
W是指Tungsten (鎢), remove rate是指化學(xué)機(jī)械研磨速率，即單位時(shí)間內(nèi)厚度的變化。由于鎢是不透光的物質(zhì)，其厚度的測(cè)試需由測(cè)方塊電阻(sheet resistance or Rs)的機(jī)臺(tái)來測(cè)量。