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這是促進和在催化過程，也就是說，造成點蝕腐蝕過程中保持腐蝕所有條件的孔。 2.氧化鋁膜的腐蝕，即使它可以溶解在磷酸和氫氧化鈉溶液，即使發(fā)生腐蝕，溶解速率是均勻的。為一體的集成解決方案的溫度升高時，溶質(zhì)的濃度在它增加，這促進了鋁的腐蝕。 3.縫隙腐蝕縫隙腐蝕局部腐蝕。當在電解質(zhì)溶液中時，形成在電解質(zhì)溶液中的金屬和金屬或金屬和非金屬之間的間隙。金屬部件的寬度足以浸沒介質(zhì)，并把介質(zhì)在停滯狀態(tài)。在間隙加速腐蝕的現(xiàn)象被稱為縫隙腐蝕。鋁合金4.應力腐蝕開裂（SCC）SCC是在30年代初發(fā)現(xiàn)的。

蝕刻液的磷酸濃度通常大于0.1？?重量更大，優(yōu)選大于0.5？?重量，特別優(yōu)選大于3？?重量，通常小于20？?重量，優(yōu)選小于15？?重量特別優(yōu)選小于12？?重量，更優(yōu)選小于8？y重量？越高硝酸濃度，更快的蝕刻速度。然而，當硝酸濃度過高，形成蝕刻的金屬的表面上的氧化膜，并且蝕刻速度降低的傾向。感光性樹脂（抗蝕劑）存在于蝕刻金屬氧化將會惡化和邊緣蝕刻的量將增加。因此，酸濃度優(yōu)選從上述范圍內(nèi)選擇。

晶片被用作氫氟酸和HNO 3，和晶片被用作氫氟酸和NH4F氧化硅硅：蝕刻劑的選擇是根據(jù)不同的加工材料確定，例如。當集成電路被化學蝕刻，被蝕刻的切口的幾何形狀是從幾何切穿在航空航天工業(yè)的化學蝕刻沒有什么不同。然而，它們之間的蝕刻深度差異是幾個數(shù)量級，且前者小于1微米。然后，它可以達到幾毫米，甚至更深。

蝕刻系統(tǒng)用于鈦合金的選擇：鈦合金只能在氟系統(tǒng)被蝕刻，但在蝕刻鈦合金的過程中，氫脆是容易發(fā)生。氫氟酸和硝酸或氫氟酸和在具有低的鉻蝕刻系統(tǒng)中使用的酸酐罐氟化酸和過氧化氫也可以是混合的制劑。銅的選擇和該合金的蝕刻系統(tǒng)：銅的選擇，該合金的蝕刻系統(tǒng)具有自由的更大的程度。通常使用的蝕刻系統(tǒng)是氯化鐵的蝕刻系統(tǒng)，酸氯化銅蝕刻系統(tǒng)，堿性氯化銅蝕刻系統(tǒng)，硫酸 - 過氧化氫蝕刻系統(tǒng)，所述氯化鐵的蝕刻系統(tǒng)和氯化銅蝕刻系統(tǒng)大多使用。

銅的導電和導熱性是僅次于銀，并且它廣泛用于電和熱設(shè)備的制造。紫銅在大氣中，海水和某些非氧化性酸（鹽酸，稀硫酸），堿，鹽溶液和各種有機酸（乙酸，檸檬酸）良好的耐腐蝕性，以及在化學工業(yè)中被使用。此外，銅具有良好的焊接性，并且可以制成各種半成品和成品通過冷和熱塑性加工。在20世紀70年代，紫銅產(chǎn)量超過其它類型的銅合金的總輸出。在紫銅微量雜質(zhì)對銅的導電和導熱性造成嚴重影響。其中，鈦，磷，鐵，硅等顯著降低導電性，而鎘，鋅等的影響不大。氧，硫，硒，碲等具有在銅非常低的固溶度，并且可以形成與銅，這對導電性的影響較小脆性的化合物，但可以減少治療的可塑性。當普通銅包含氫氣或一氧化碳在晶界處，氫氣或一氧化碳容易與氧化亞銅（銅氧化物）相互作用，以產(chǎn)生高壓水蒸汽或二氧化碳氣體在還原氣氛，這可以通過裂化導致銅以熱反應。這種現(xiàn)象通常被稱為銅的“氫病”。氧氣是有害的銅的可焊性。

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