東莞蝕刻技術(shù)，東莞蝕刻加工制造廠

文章來(lái)源:未知時(shí)間:2019-09-05 點(diǎn)擊:

東莞蝕刻技術(shù)，東莞蝕刻加工制造廠
1. 金屬化學(xué)成分的不均勻性
眾所周知，絕對(duì)純的金屬并不存在。特別是工業(yè)上使用的金屬材料常常含有各種雜
質(zhì)，這些雜質(zhì)中有些相對(duì)于母體金屬的電位更正，有些則比母體金屬的電位更負(fù)。當(dāng)和電
解質(zhì)溶液接觸時(shí)，這些雜質(zhì)便以微電極的形式與基體金屬構(gòu)成許多細(xì)微的短路腐燭微電
池。若雜質(zhì)作為微陰極存在時(shí)，它將加速基體金屬的腐蝕。金屬凝固時(shí)產(chǎn)生的偏析造成
的化學(xué)成分不均勻也是引起腐蝕原電池的原因。

2. 金屬組織結(jié)構(gòu)的不均勻性
金屬的組織結(jié)構(gòu)在這里是指組成合金的粒子種類(lèi)、分量和它們的排列方式的統(tǒng)稱(chēng)。
同時(shí)結(jié)構(gòu)絕對(duì)均勻的合金組織也是不存在的。在同一金屬或合金中，其內(nèi)部都存在著不
同的組織結(jié)構(gòu)區(qū)域,因而有不同的電極電位值。大多數(shù)金屬都為多晶體材料，晶界是原子
排列較為疏松而紊亂的區(qū)域，這一區(qū)域容易富集雜質(zhì)原子而產(chǎn)生晶界吸附和晶界沉淀，而
且晶體缺陷(位錯(cuò)、空穴和點(diǎn)陣畸變)密度大。因此晶界比晶粒內(nèi)部更為活潑，通常具有
更低的電位值。當(dāng)和電解質(zhì)溶液接觸時(shí)，這些晶?；蚓Ы玳g的電位差就構(gòu)成了腐燭原電
池。金屬微觀或超微觀腐燭原電池越細(xì)密，經(jīng)腐蝕后的金屬表面平整度就越好,反之則
越大。
五、金屬腐蝕的條件
并不是所有的金屬在某一電解質(zhì)溶液中都會(huì)發(fā)生腐燭，是否會(huì)發(fā)生腐蝕得通過(guò)化學(xué)
熱力學(xué)數(shù)據(jù)來(lái)判斷。在熱力學(xué)中判斷金屬腐蝕過(guò)程是否會(huì)自發(fā)進(jìn)行,主要通過(guò)吉布斯自
由能的數(shù)據(jù)來(lái)判斷，吉布斯自由能用C來(lái)表示，自由能變化為AC，其判別關(guān)系如下：
(ag)_t._p<0自發(fā)狀態(tài)
(AG)_T._p=O平衡狀態(tài)
(AG)_T._p>0非自發(fā)狀態(tài)

在以上關(guān)系式中，只有當(dāng)(AG)_T._p <0時(shí)，腐蝕過(guò)程才能自發(fā)進(jìn)行。比如，銅在無(wú)氧的
純HC1中,(AG)_T._p= +65.52kJ • mol¹ >0,可見(jiàn)銅在無(wú)氧的純HC1中不發(fā)生自發(fā)反應(yīng)。
但當(dāng)HC1中有溶解的氧或有其他方式提供了氧時(shí)，(AG)_T._p= - 169. 64kJ • mol¹ <0,這
時(shí)銅和HC1要發(fā)生自發(fā)反應(yīng)而被腐蝕。
知道了金屬在某種電解質(zhì)溶液中是否會(huì)自發(fā)反應(yīng)引起金屬腐蝕，并不能解釋這種腐
燭過(guò)程進(jìn)行的速度，因?yàn)樵谶M(jìn)行化學(xué)燭刻加工時(shí)，所需要的是蝕刻的速度要快，只有達(dá)到
一定蝕刻速度的化學(xué)腐燭才是有意義的。金屬的蝕刻速度是化學(xué)動(dòng)力學(xué)的研究范疇，化
學(xué)動(dòng)力學(xué)是一個(gè)非常復(fù)雜的問(wèn)題，同時(shí)也超出了本書(shū)的討論范圍。拋開(kāi)那些復(fù)雜的理論
問(wèn)題，在現(xiàn)實(shí)中提高蝕刻速度的方法,不外乎有三種:選擇腐蝕性強(qiáng)的腐燭劑、選擇濃度較
高的腐蝕溶液、提高腐蝕溫度。有關(guān)這些問(wèn)題放在后面詳細(xì)介紹。
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