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東莞蝕刻技術(shù),東莞蝕刻加工制造廠
文章來源:
未知
時(shí)間:
2019-09-05
點(diǎn)擊:
東莞
蝕刻
技術(shù),東莞
蝕刻加工
制造廠
1. 金屬化學(xué)成分的不均勻性
眾所周知,絕對(duì)純的金屬并不存在。特別是工業(yè)上使用的金屬材料常常含有各種雜
質(zhì),這些雜質(zhì)中有些相對(duì)于母體金屬的電位更正,有些則比母體金屬的電位更負(fù)。當(dāng)和電
解質(zhì)溶液接觸時(shí),這些雜質(zhì)便以微電極的形式與基體金屬構(gòu)成許多細(xì)微的短路腐燭微電
池。若雜質(zhì)作為微陰極存在時(shí),它將加速基體金屬的腐蝕。金屬凝固時(shí)產(chǎn)生的偏析造成
的化學(xué)成分不均勻也是引起腐蝕原電池的原因。
2. 金屬組織結(jié)構(gòu)的不均勻性
金屬的組織結(jié)構(gòu)在這里是指組成合金的粒子種類、分量和它們的排列方式的統(tǒng)稱。
同時(shí)結(jié)構(gòu)絕對(duì)均勻的合金組織也是不存在的。在同一金屬或合金中,其內(nèi)部都存在著不
同的組織結(jié)構(gòu)區(qū)域,因而有不同的電極電位值。大多數(shù)金屬都為多晶體材料,晶界是原子
排列較為疏松而紊亂的區(qū)域,這一區(qū)域容易富集雜質(zhì)原子而產(chǎn)生晶界吸附和晶界沉淀,而
且晶體缺陷(位錯(cuò)、空穴和點(diǎn)陣畸變)密度大。因此晶界比晶粒內(nèi)部更為活潑,通常具有
更低的電位值。當(dāng)和電解質(zhì)溶液接觸時(shí),這些晶?;蚓Ы玳g的電位差就構(gòu)成了腐燭原電
池。金屬微觀或超微觀腐燭原電池越細(xì)密,經(jīng)腐蝕后的金屬表面平整度就越好,反之則
越大。
五、 金屬腐蝕的條件
并不是所有的金屬在某一電解質(zhì)溶液中都會(huì)發(fā)生腐燭,是否會(huì)發(fā)生腐蝕得通過化學(xué)
熱力學(xué)數(shù)據(jù)來判斷。在熱力學(xué)中判斷金屬腐蝕過程是否會(huì)自發(fā)進(jìn)行,主要通過吉布斯自
由能的數(shù)據(jù)來判斷,吉布斯自由能用C來表示,自由能變化為AC,其判別關(guān)系如下:
(ag)
t
.
p
<0自發(fā)狀態(tài)
(AG)
T
.
p
=O平衡狀態(tài)
(AG)
T
.
p
>0非自發(fā)狀態(tài)
在以上關(guān)系式中,只有當(dāng)(AG)
T
.
p
<0時(shí),腐蝕過程才能自發(fā)進(jìn)行。比如,銅在無氧的
純HC1中,(AG)
T
.
p
= +65.52kJ • mol
1
>0,可見銅在無氧的純HC1中不發(fā)生自發(fā)反應(yīng)。
但當(dāng)HC1中有溶解的氧或有其他方式提供了氧時(shí),(AG)
T
.
p
= - 169. 64kJ • mol
1
<0,這
時(shí)銅和HC1要發(fā)生自發(fā)反應(yīng)而被腐蝕。
知道了金屬在某種電解質(zhì)溶液中是否會(huì)自發(fā)反應(yīng)引起金屬腐蝕,并不能解釋這種腐
燭過程進(jìn)行的速度,因?yàn)樵谶M(jìn)行化學(xué)燭刻加工時(shí),所需要的是
蝕刻
的速度要快,只有達(dá)到
一定蝕刻速度的化學(xué)腐燭才是有意義的。金屬的蝕刻速度是化學(xué)動(dòng)力學(xué)的研究范疇,化
學(xué)動(dòng)力學(xué)是一個(gè)非常復(fù)雜的問題,同時(shí)也超出了本書的討論范圍。拋開那些復(fù)雜的理論
問題,在現(xiàn)實(shí)中提高蝕刻速度的方法,不外乎有三種:選擇腐蝕性強(qiáng)的腐燭劑、選擇濃度較
高的腐蝕溶液、提高腐蝕溫度。有關(guān)這些問題放在后面詳細(xì)介紹。
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